江浙滬光聚合型光刻膠顯影
三苯基硫鎓鹽是常用的EUV光刻膠光致產(chǎn)酸劑，也具有枝狀結(jié)構(gòu)。佐治亞理工的Henderson課題組借鑒主體材料鍵合光敏材料的思路，制備了一種枝狀單分子樹脂光刻膠TAS-tBoc-Ts。雖然他們原本是想要合成一種化學放大型光刻膠，但根據(jù)是否后烘，TAS-tBoc-Ts既可呈現(xiàn)負膠也可呈現(xiàn)正膠性質(zhì)。曝光后若不后烘，硫鎓鹽光解形成硫醚結(jié)構(gòu)，生成的光酸不擴散，不會引發(fā)t-Boc的離去；曝光區(qū)域不溶于水性顯影液，未曝光區(qū)域為離子結(jié)構(gòu)，微溶于水性顯影液，因而可作為非化學放大型負性光刻膠。曝光后若后烘，硫鎓鹽光解產(chǎn)生的酸引發(fā)鏈式反應，t-Boc基團離去露出酚羥基；使用堿性顯影液，曝光區(qū)域的溶解速率遠遠大于未曝光區(qū)域，因此又可作為化學放大型正性光刻膠。這個工作雖然用DUV光刻和電子束光刻測試了此類光刻膠的光刻性能，但由于EUV光刻機理與電子束光刻的類似性，本工作也為新型EUV光刻膠的設計開辟了新思路。光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù)，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù)。江浙滬光聚合型光刻膠顯影
目前國內(nèi)從事半導體光刻膠研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)包括晶瑞股份、南大光電、上海新陽、北京科華等。相關(guān)企業(yè)以i 線、g線光刻膠生產(chǎn)為主，應用集成電路制程為350nm以上。在KrF光刻膠領域，北京科華、博康已實現(xiàn)量產(chǎn)。國內(nèi)在ArF光刻膠領域產(chǎn)業(yè)化進程相對較快的企業(yè)為南大光電，其先后承擔國家02專項“高分辨率光刻膠與先進封裝光刻膠產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項目”和“ArF光刻膠產(chǎn)品的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目”，公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品成為國內(nèi)通過客戶驗證的國產(chǎn)ArF光刻膠，其他國內(nèi)企業(yè)尚處于研發(fā)和驗證階段。半導體光刻膠其他助劑光刻膠的國產(chǎn)化公關(guān)正在展開，在面板屏顯光刻膠領域，中國已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競爭力的本土企業(yè)。
分子玻璃是一種具有較高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的單分散小分子有機化合物，其結(jié)構(gòu)為非共面和不規(guī)則，能夠避免結(jié)晶，與產(chǎn)酸劑具有優(yōu)良的相容性。以分子玻璃為成膜樹脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機配體構(gòu)建其主體結(jié)構(gòu)，有機配體中包含光敏基團，借助光敏基團的感光性及其引發(fā)的后續(xù)反應實現(xiàn)光刻膠所需的性能。從化學組成來看，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過渡金屬有機化合物。
有研究結(jié)果表明，在EUV光照下，某特定光刻膠分子每吸收一個光子可以產(chǎn)生2.1個活性物種，這一效率分別是KrF光刻和ArF光刻的6倍和15倍。由于在光刻膠材料中有二次電子的產(chǎn)生，EUV光刻在機理上與電子束光刻有相近之處。因為商用EUV光刻機價格昂貴，對光刻膠材料研發(fā)人員開放的同步輻射EUV干涉線站機時有限，所以近年來，在EUV光刻膠的研發(fā)過程中也常利用電子束光刻開展相關(guān)機理、工藝研究和基本性能的評測，也有一些尚未實際應用于EUV光刻但已有電子束光刻研究結(jié)果的光刻膠。根據(jù)應用領域不同，光刻膠可分為 PCB 光刻膠、LCD 光刻膠和半導體光刻膠，技術(shù)門檻逐漸遞增。
非常常見的單分子樹脂化合物的分子拓撲結(jié)構(gòu)有枝狀（或星形）、環(huán)狀（包括梯形）、螺環(huán)狀以及四面體結(jié)構(gòu)等等。其主要結(jié)構(gòu)通常為具有非對稱、非平面的組分。對于化學放大光刻膠，芳香環(huán)上會連有酸敏離去基團保護的酸性官能團。非對稱、非平面結(jié)構(gòu)可以防止體系因π-π堆積而結(jié)晶，芳香環(huán)的剛性可以確保光刻膠具有較好的熱穩(wěn)定性、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和抗刻蝕性，酸敏可離去基團則可在光酸的作用下使酸性官能團裸露出來，實現(xiàn)溶解性的改變。聚合度越小，發(fā)生微相分離的尺寸越小，對應的光刻圖形越小。江蘇彩色光刻膠顯示面板材料
在PCB行業(yè)：主要使用的光刻膠有干膜光刻膠、濕膜光刻膠、感光阻焊油墨等。江浙滬光聚合型光刻膠顯影
浸沒光刻：在與浸沒光刻相對的干法光刻中，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學反應。在浸沒光刻中，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體。光刻光源發(fā)出的輻射經(jīng)過這些液體的時候發(fā)生了折射，波長變短。這樣，在不改變光源的前提條件下，更短波長的紫外光被投影光刻膠上，提高了光刻加工的分辨率。雙重光刻：雙重光刻的意思是通過兩次光刻使得加工分辨率翻倍。實現(xiàn)這個目的的一種方法是在開始光刻過后平移同一個光罩進行第二次光刻，以提高加工分辨率。下圖右展示了這樣一個過程。下圖右中雙重光刻子進行了兩次涂膠，兩次光刻和兩次刻蝕。隨著光刻膠技術(shù)的進步，只需要一次涂膠，兩次光刻和一次刻蝕的雙重光刻工藝也成為可能。江浙滬光聚合型光刻膠顯影
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潛水電纜的耐腐蝕性能主要受到以下因素的影響：絕緣材料：潛水電纜的絕緣材料需要具有一定的耐腐蝕性能，以防止水分和其他化學物質(zhì)對電纜的損害。常用的絕緣材料如聚合物材料、充油電纜紙等都具有較好的耐腐蝕性能。 。
電鍍生產(chǎn)線需要以下技術(shù)支持：1.電鍍工藝技術(shù)：電鍍生產(chǎn)線需要掌握電鍍工藝技術(shù)，包括電解液的配制、電極的選擇、電流密度的控制等。2.自動化控制技術(shù)：電鍍生產(chǎn)線需要實現(xiàn)自動化控制，包括自動化控制系統(tǒng)的設計 。
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基于白光干涉光譜單峰值波長移動的鍺膜厚度測量方案研究：在對比研究目前常用的白光干涉測量方案的基礎上，我們發(fā)現(xiàn)當兩干涉光束的光程差非常小導致其干涉光譜只有一個干涉峰時，常用的基于兩相鄰干涉峰間距的解調(diào)方 。
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